Техническая спецификация
Муфты концевые, комбинированные с применением термоусаживаемых комплектующих, серий rek-24СH2-1-М и rek- 24СH2-ТАС-1-М применяются для экранированных (включая и с экраном из гибких стренг термо-коррозионностойкого алюминиевого сплава (ТАСг)) одножильных кабелей с изоляцией из сшитого полиэтилена или этиленпропиленовой резины, с бронёй и без брони, на напряжение до 20 кВ. На очищенный от полупроводящего слоя участок жилы кабеля, поверх ленты 2220, усаживается внутренняя изоляционная термоусаживаемая трубка чёрного цвета. Затем, с заходом на полупроводящий слой жилы кабеля, на участке среза полупроводящего слоя устанавливается жильная холодноусаживаемая муфта МСХ, которая заполняется полиуретановым компаундом 40G. Эффективное выравнивание напряжённости электрического поля на участке среза полупроводящего слоя жил кабеля обеспечивается применением специальной ленты 2220 с высокой диэлектрической проницаемостью и специальной конструкцией корпуса муфты МСХ, комбинированное применение в которой ленты 2220 и наружного полупроводящего слоя корпуса муфты, обеспечивает равномерное распределение силовых линий в зоне напряжённости электромагнитного поля. Комплект непаяной системы заземления, входящий в соответствующие комплекты муфт, включает в себя шину заземления и пружинные кольца. На жилу устанавливается внешняя трекингостойкая термоусаживаемая трубка. В муфтах для наружной установки на жилу усаживаются термоусаживаемые изоляторы.
Муфты серий rek-24СH2-1-М и rek-24СH2-ТАС-1-М соответствуют требованиям ГОСТ 13781.0-86, ГОСТ 34839-2022.
В комплект муфты входят:
1. Универсальные наконечники со срывающейся головкой болта производства GPH;
2. Специальные ленты;
3. Корпус муфты МСХ с предустановленными трубками холодной усадки;
4. Двухкомпонентный компаунд 40G;
5. Внутренняя изоляционная и внешняя защитная трекингостойкие термоусаживаемые трубки;
6. Трекингостойкие термоусаживаемые изоляторы для муфт наружной установки;
7. Комплект для заземления на основе непаяной системы, в которую входят заземляющий провод и пружинные кольца (только для кабелей с медным ленточным экраном и/или бронированных кабелей);
8. Защитные перчатки с полиуретановым покрытием.
Тип кабеля: ПвП, АПвП, ПвПу, АПвПу, ПвБП, АПвБП, ПвЭП, АПвЭП, АПвП-ТАС, ПвП-ТАС, АПвПу-ТАС, ПвПу-ТАС, АПвПГ-ТАС, ПвПг-ТАС, АПвБВнг-LS-ТАС, АПвКаП2гж-ТАС, КА9РВСКБВнг, КА9РВВнг-LS, КА9РВСБВнг-LS, К9РВСКВМнг и другие.
Примечания:
* В комплект муфты для одножильного кабеля входят материалы на три фазы;
* В случае, если размещается заказ на комплект концевой муфты только на одну фазу, цифра «3» в наименовании комплекта меняется на цифру «1»;
Пример наименования при формировании заказа на одну фазу: «rek-24CH-1/1x50/120-M»;
* Комплекты муфт для сечений в диапазоне 800-1200 мм2 поставляются по запросу;
* При заказе на муфт в исполнении «не поддерживающий горение» и «низкое дымо- и газовыделение» в наименование добавляется аббревиатура «нг-LS».
Пример наименования: «rek-24CH-1х35/120-нг-LS-M».
ТЕОРИЯ СНЯТИЯ НАПРЯЖЁННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ
в техническом решении для муфт rek-10CH, rek-24CH и rek-42CH в диапазоне напряжений 10-35 кВ
1. В муфтах серий rek-10CH-M, rek-24CH-M и rek-42CH-M для повышения эффективности снижения напряжённости электрического поля на срезе полупроводящего слоя токопроводящей жилы используется комбинированная технология изменения формы электрического поля, в основе которой не только использование материалов с высокой диэлектрической проницаемостью, но и изменение геометрической формы экрана (рис. 1).
Форма электрического поля получила более плавную форму за счет применения дублирующего экрана.
Для дополнительного снижения напряжённости электрического поля на каждом из экранов используется материал с высокой диэлектрической проницаемостью.
2. Данное техническое решение позволило в том числе уйти и от нагрева полупроводящего слоя жилы (на участке от среза полупроводящего слоя токопроводящей жилы до места отведения проволочного экрана от токопроводящей жилы) по причине протекания по указанному участку наведенного емкостного тока. Уход от нагрева полупроводящего слоя жилы обусловлен протеканием наведенного емкостного тока теперь уже по искусственно созданному полноценному внешнему дублирующему проводнику-экрану, а не по полупроводящему слою токопроводящей жилы.
На эквивалентной схеме муфты rek-42CH (см. рис.2) показана дополнительная ёмкость Сэ. За счет большей чем жилы кабеля площади муфты, эта ёмкость больше рабочей ёмкости токопроводящей жилы Сф в 2 – 3 раза. Таким образом, за счет меньшего сопротивления экрана, в 2 – 3 раза меньшей ёмкости Сф и в 2 – 3 раза большей ёмкости Сэ, ток в полупроводящем экране кабеля будет в 4³ - 3³ раз меньше, то есть в 8 – 27 раз.
Соответственно выделяемая тепловая мощность (пропорциональная квадрату тока) будет меньше в 64 – 729 раз, то есть в данном случае ею можно пренебречь. Приведённые расчеты показывают, что благодаря протеканию наведённого емкостного тока по искусственно созданному внешнему дублирующему проводнику-экрану, а не по полупроводящему слою токопроводящей жилы, нагрева последнего не будет.
